晶振起振条件

石英晶体(Crystal)

表晶（KHZ）

石英晶体（MHZ）

热敏晶体（TSX）

车规级晶体(AECQ Crystal)

石英晶振(Oscillator)

CMOS晶振(CMOS XO)

差分晶振(Differential XO)

超低抖动(Ultra Low Jitter XO)

超低功耗(Ultra low power-XO)

宽温晶振（Wide Temp. XO）

车规级晶振(AEC-Q200 XO)

可编程晶振(Programmable)

CMOS可编程（CMOS XO）

差分晶振(Differential XO）

可编程压控晶振（VCXO）

可编程温补晶振（TCXO）

可编程压控温补(VCTCXO）

可编程展频晶振(SSXO)

压控晶振(VCXO)

CMOS压控晶振(CMOS VCXO)

差分压控(Differential VCXO)

温补晶振(TCXO)

差分温补(Differential TCXO)

高精度温补(High Precision TCXO)

压控温补晶振(VCTCXO)

压控温补(CMOS VCTCXO)

差分压控温补(VCTCXO）

恒温晶振(OCXO)

超低噪声OCXO

超高稳OCXO

小型化OCXO

国产化OCXO

RTC

Real Time Clock (实时时钟)

时钟缓冲器 / 时钟发生器

差分时钟缓冲器(Clock Buffer)

单端时钟缓冲器(Clock Buffer)

时钟发生器(Clock Generator)

晶振起振条件

作者：扬兴科技日期：2025-11-21 浏览量：

Q：晶振起振条件

A：晶振起振需满足两个核心条件：环路增益≥1（确保信号放大），且总相位移为360°整数倍（实现正反馈）

Q：电容在振荡电路的作用

A：晶振旁边的两个电容主要用于形成振荡反馈网络、调节负载电容以稳定频率、抑制谐波干扰，并保护晶振免受过驱动损坏。

1.电容与晶振和反相器构成皮尔斯振荡电路，通过分压提供180°相移，满足振荡条件。

2.晶振标称值（如18pF或20pF），通过调节匹配负载电容，确保实际频率与标称频率一致，不匹配会导致频率偏移或起振失败。

晶振起振条件

作者： 扬兴科技 日期：2025-11-21 浏览量： $(function(){ $.ajax({ type: "POST", url: "/label/ajax/hit.aspx", data: "type=0&colid=200&itemid=6104&f=Hits", success: function (result) { $("#whirlabelhit").before(result) } }); });

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作者：扬兴科技日期：2025-11-21 浏览量：