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问：SiTime晶振是可编程的吗?
SiTime晶振采用可编程架构设计，可以在器件工作范围内配置多个参数，包括任何输出频率(精度达到小数点后六位)，频率稳定度(ppm)和电源电压。其他功能，如驱动强度可以编程和引脚1的功能可以改变，以符合应用的要求。
根据数量和交货时间的要求，SiTime振荡器可以在工厂进行编程(3到5周的交货时间)，由特定的授权经销商编程(24小时交货时间)，或者使用时间 Machine II便携式编程器，用于样本量。
问：OE和ST功能有什么区别?
大多数SiTime晶振(引脚1)的特性引脚可以编程为“输出使能”(OE)或“待机”(ST)功能。 在这两种情况下，拉低1引脚可以停止器件的输出振荡，但采用两种不同的方式，如下所述。
对OE引脚施加逻辑低电平仅禁用输出驱动器并将其置于Hi-Z模式，但器件的其余部分仍在运行。由于输出不活动，功耗下降。例如，对于3.3V SiT8003 20 MHz器件，IDD在15 pF负载下从4 mA降至3.3 mA。当OE引脚拉高时，输出通常不到1 us。
当ST引脚拉低时，带ST引脚的器件进入待机模式。器件的所有内部电路都关闭，电流降低到待机电流，一般在几微安培的范围内。当ST被拉为高电平时，器件将执行“恢复”过程，这个过程可能需要3 ms到10 ms。 待机电流和恢复时间在器件数据表中指定。 一些SiTime数据表不具体指定恢复时间; 在这种情况下，恢复时间与“启动时间”相同。
问：我可以编程SiTime器件来驱动大于15 pF的负载吗?
可以，具有单端LVCMOS输出的SiTime器件通常规定上升和下降时间为15 pF容性负载。该器件可能驱动一个较大的负载，最高60 pF，上升和下降时间较慢。对于需要快速上升和下降时间(〜1 ns)以及能够驱动大容性负载的应用，可根据要求提供具有高驱动强度输出的缓冲器件。联系SiTime了解更多详情。
问：我可以调整SiTime晶振的输出上升和下降时间吗?
可以，用户可以通过改变驱动电流强度来调整SiTime振荡器的输出缓冲器。通过增加或减少输出级的最大驱动电流，上升和下降时间可以分别减少或增加。高驱动电流强度可以在驱动较大负载的同时实现更快的上升和下降时间。低驱动电流强度可降低时钟边沿转换速率并降低潜在的EMI。
SiTime提供现场可编程晶振，可与Time Machine II一起使用，这是一款振荡器编程器，允许用户配置各种参数，包括上升和下降时间。
问：我可以用实验室程序员编程SiTime晶振吗?
可以，SiTime提供现场可编程晶振，可与TimeMachine™II一起使用，这是一款完整的便携式编程器套件。此工具可以编程频率，电压，稳定性和其他功能特性，如驱动强度或扩频。程序员和现场可编程器件是快速原型设计和优化系统性能的理想之选，通过创建具有自定义频率的即时样本或调整驱动强度。现场可编程振荡器具有业界标准的占位面积，所以它们可以用作传统石英振荡器的直接替换，而无需更换任何电路板。
问：我可以在我的系统中编程一个SiTime晶振吗?
SiTime为系统内可编程性提供以下选项：
带有LVCMOS输出(SiT3907)和差分输出(SiT3921和SiT3922)的数字控制振荡器(DCXO)。 这些振荡器允许用户在很窄的范围内(高达±1600 ppm)和非常高的分辨率(1 ppb)动态地改变输出频率。 这些设备也取代了许多VCXO应用中的模拟接口。
扬兴科技，作为sitme一级代理商，同时作为早期的可编程晶振厂商，我们积累大量常见可编程晶振解决方案，如果您有遇到相关可编程晶振可在线联系客服顾问，我们将会第一时间为您解决问题！
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